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量産用シリコン深堀り装置

量産用シリコン深堀り装置

シリコン深掘り装置　Si DRIE System

ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。

特長

  • 垂直なエッチング形状と側壁粗さ、そしてCDロスを維持した状態で、世界最高の高選択比と高エッチレートを同時に実現
  • 英国SPTS社と共有するプロセスライブラリにより、多種多様なエッチング形状を実現
  • パワーMOSFETや200mm、300mmウエハでの貫通電極（TSV）など、半導体アプリケーションにも適用
  • 真空ロードロック型からクラスタ型までの搬送系をラインナップし、研究開発から量産まで対応可能

アプリケーション

  • MEMSデバイス（加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、シリコンマイク、シリコン共振器、光スイッチなど）
  • インクジェットプリンタヘッド
  • 3次元貫通電極（TSV）
  • パワーデバイス（パワー半導体）
  • LED
  • 光デバイス
  • RFデバイス　　など