シリコン深掘り装置 Si DRIE System
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。

- 垂直なエッチング形状と側壁粗さ、そしてCDロスを維持した状態で、世界最高の高選択比と高エッチレートを同時に実現
- 英国SPTS社と共有するプロセスライブラリにより、多種多様なエッチング形状を実現
- パワーMOSFETや200mm、300mmウエハでの貫通電極(TSV)など、半導体アプリケーションにも適用
- 真空ロードロック型からクラスタ型までの搬送系をラインナップし、研究開発から量産まで対応可能

- MEMSデバイス(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、シリコンマイク、シリコン共振器、光スイッチなど)
- インクジェットプリンタヘッド
- 3次元貫通電極(TSV)
- パワーデバイス(パワー半導体)
- LED
- 光デバイス
- RFデバイス など