Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置

Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置

Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置  Integrated TSV System for R&D

300mmウェーハ対応のSi深掘り、酸化膜・バリア/シード層の形成に最適な統合装置です。

特長

  • 3次元貫通電極(TSV)に必要なSi深掘り用Etchチャンバ、酸化膜ライナ用CVDチャンバ、バリアシード用PVDチャンバを1台の搬送システムに搭載可能(最大6チャンバ)
  • 300mm、及び200mmのウェーハに対応可能な装置
  • 開発・試作フェーズでの投資を最小限に抑えることが可能
  • 量産移行時にはプロセスモジュールの再配置が可能であり、個々のプロセスモジュールのマルチチャンバ化も可能

アプリケーション

  • 3次元貫通電極(TSV)