シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置

シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置

シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置  Si02 Sacrificial Layer Etching System

MEMS用途で、無水HFとアルコールによるシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置です。

特長

  • アルミ電極を含む構造でもアルミを腐食することなくエッチング可能
  • 微細加工が可能で、ミリメートル単位のロングアンダーカットも可能
  • ドライプロセスで廃液処理不要、低メンテナンス頻度で高安定性
  • 簡易手動型からクラスタ型までの搬送系をラインナップし、研究開発から量産まで対応可能

アプリケーション

  • MEMSデバイス(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、シリコンマイク、シリコン共振器、光スイッチなど)