シリコン犠牲層エッチング装置

シリコン犠牲層エッチング装置

シリコン犠牲層エッチング装置  Si Sacrificial Layer Etching System

MEMS用途で、XeF2(2フッ化キセノン)によるシリコン犠牲層エッチング装置です。

特長

  • XeF2ドライエッチングによるコンパクトで安価なシリコン犠牲層エッチングが可能
  • 多彩なマスク・下地材料に対し、高い選択比を確保
  • 微細加工が可能で、ミリメートル単位のロングアンダーカットも可能
  • ドライプロセスで廃液処理不要、低メンテナンス頻度で高安定性

アプリケーション

  • MEMSデバイス(加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、シリコンマイク、シリコン共振器、光スイッチなど)
  • バイオMEMSデバイス  など