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シリコン深掘り装置“ASE-Proxion”が優秀賞を受賞しました。

シリコン深掘り装置“ASE-Proxion”が優秀賞を受賞しました。

SPPテクノロジーズ株式会社(本社:東京都千代田区、社長:速水利泰)のシリコン深掘り装置“ASE-Proxion”(エーエスイー プロキオン)が、『電子デバイス産業新聞』が主催する「第23回半導体・オブ・ザ・イヤー2017」半導体製造装置部門で優秀賞を受賞しました。昨年の「第22回半導体・オブ・ザ・イヤー2016」を受賞した化合物エッチング装置“APS-Spica”(エーピーエス スピカ)に続き、2年連続となります。

本賞は、2016年4月~2017年3月の間に新製品(バージョンアップ等を含む)として発表された製品・技術が対象で、応募部門として①半導体デバイス部門、②半導体製造装置部門、③半導体用電子材料部門の3部門があり、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準に、電子デバイス産業新聞記者の投票により受賞者が選定されます。

従来シリコン深掘り装置の量産機として、“ASE-Pegasus”(エーエスイー ペガサス)、“ASE-Super Pegasus”(エーエスイー スーパーペガサス)を販売しております。お客様より、さらなるエッチング速度の向上(ASE-Pegasusの約2倍、ASE-Super Pegasusの約1.5倍)が要望され、装置開発を開始しました。今回開発したASE-Proxionは、上記の要望を満たし、また、温室効果ガスであるC4F8の代替ガスを用いることで温室効果ガス排出量を削減し、さらにエッチング速度向上によるSF6や消費電力の削減に成功した新型装置で、既に1件の納入実績があった点が高く評価されました。 今後も、お客様のニーズにお応えできるように取り組んでまいります。