Products 製品紹介

Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置 SPTS Technologies社製 Versalis fxP

成膜/熱処理

SPTS
Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置 Integrated TSV System for R&D
300mmウエハ対応のSi深掘り、酸化膜・バリア層・シード層の形成に最適な統合装置です。

Si深掘り/酸化膜/バリア/シード統合装置
TSV向け滑らかな側壁形状
TSV向け滑らかな側壁形状
低温TEOS酸化膜(200℃)
低温TEOS酸化膜
(200℃)
高A/R(10:1)ビアへのイオン化PVDによる埋め込み
高A/R(10:1)ビアへの
イオン化PVDによる埋め込み
高A/R(5:1)ビアへの埋め込み(深掘り、酸化膜、シード層成膜)
高A/R(5:1)ビアへの埋め込み
(深掘り、酸化膜、シード層成膜)

Feature 特徴

3次元貫通電極(TSV)に必要なSi深掘り用Etchチャンバ、酸化膜ライナ用CVDチャンバ、バリアシード用PVDチャンバを1台の搬送システムに搭載可能(最大6チャンバ)
200/300mmウエーハ対応
開発・試作フェーズでの投資を最小限に抑えることが可能
量産移行時にはプロセスモジュールの再配置が可能であり、個々のプロセスモジュールのマルチチャンバ化も可能

Application アプリケーション

3次元貫通電極(TSV)

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