ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。
MEMSデバイスや3次元貫通電極（TSV）用の300mm対応量産用シリコン深掘り装置です。
化合物半導体をはじめ、光デバイスなど難エッチング材料向けエッチング装置です。
MEMS用途で、無水HF（フッ化水素）とアルコールによるシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置です。
低ストレスシリコン窒化膜や、厚膜シリコン酸化膜の形成用プラズマ成膜装置です。
多種多様な要求に対して、最適なプロセスを高スループットにて提供可能な熱処理装置です。
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