採用Bosch工藝並使用敝司獨有技術，可對應MEMS和半導體量產的矽深蝕刻設備。
用於MEMS裝置和300mm量產的3D通孔電極（TSV）的矽深蝕刻設備。
化合物半導體以及光電裝置等難以蝕刻材料的蝕刻設備。
用於MEMS應用的無水HF（氟化氫）和醇類的矽酸化膜犧牲層蝕刻設備。
對應低應力矽氮化膜和厚膜矽氧化膜形成的等離子體成膜裝置。
這是一種熱處理設備，可提供高產量的最佳工藝，以滿足各種要求。
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