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量產用矽深蝕刻設備 Predeus / Procyon

矽深蝕刻設備

矽深蝕刻設備 Si Deep RIE System
ボッシュプロセスに独自技術を加えて確立したもので、量産対応のMEMS・半導体用シリコン深掘り装置です。

量產用矽深蝕刻設備
高アスペクト比エッチング
高アスペクト比エッチング
円柱形状構造
円柱形状構造
高速エッチング
高速エッチング
TSVエッチング
TSVエッチング

Feature 特徴

垂直なエッチング形状と側壁粗さ、そしてCDロスを維持した状態で、世界最高の高選択比と高エッチレートを同時に実現
プロセスライブラリにより、多種多様なエッチング形状を実現
パワーMOSFETや200mm、300mmウェーハでの貫通電極(TSV)など、半導体アプリケーションにも適用
真空ロードロック型からクラスタ型までの搬送系をラインナップし、研究開発から量産まで対応可能

Application アプリケーション

MEMSデバイス ※

インクジェットプリンタヘッド

3次元貫通電極(TSV)

パワーデバイス(パワー半導体)

LED

光デバイス

RFデバイス(高周波デバイス)

※ MEMSデバイス:加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、シリコンマイク、シリコン共振器、光スイッチなど

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