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シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置 Vetelgeuse

犠牲層エッチング

シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置 Si02 Sacrificial Layer Etching System
MEMS用途で、無水HF(フッ化水素)とアルコールによるシリコン酸化膜犠牲層エッチング装置です。

シリコン酸化膜犠牲層エッチング装置
赤外線ポロメータ構造
赤外線ポロメータ構造
カンチレバー構造
カンチレバー構造
SOIウェーハBOX層リリース
SOIウェーハBOX層リリース
シリコンオシレータ構造
シリコンオシレータ構造(提供:SiTime殿)

Feature 特徴

アルミ電極を含む構造でもアルミを腐食することなくエッチング可能
微細加工が可能で、ミリメートル単位のロングアンダーカットも可能
ドライプロセスで廃液処理不要、低メンテナンス頻度で高安定性
簡易手動型からクラスタ型までの搬送系をラインナップし、研究開発から量産まで対応可能

Application アプリケーション

MEMSデバイス ※

※ MEMSデバイス:加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、シリコンマイク、シリコン共振器、光スイッチなど

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